Shalom

Монокристаллы магния алюмината (MgAl2O4 или шпинели) широко используются для объемных акустических волн и СВЧ-устройств и быстрых Эпитаксиальных субстратов IC. Также установлено, что MgAl2O4 является хорошим субстратом для устройства нитридов III-V. Spinel (MgAl2O4) является одним из кандидатов для такого субстрата GaN LD. Кристаллографическая структура MgAl2O4 является шпинельным типом (Fd3m), а ее постоянная решетки составляет 8,083 А. MgAl2O4 является относительно недорогим материалом подложки, который успешно применяется для роста высококачественных пленок GaN. MgAl2O4 расщепляется на плоскости (100). Полости GaN LD были получены простым расщеплением субстратов MgAl2O4 вдоль направления (100), что также хорошо работает для ZnO. Кристалл MgAl2O4 очень трудно выращивать из-за трудности в поддержании однофазной структуры.