Подложки сапфировые (Al2O3)

Сапфир является отличным материалом-подложкой для эпитаксиального выращивания различных тонких пленок. Сапфир обладает превосходной устойчивостью к высоким температурам, химической коррозии, электроизоляцией, широким оптическим пропусканием, непревзойденной механической твердостью и износостойкостью. Молекулярная связь сапфира прочная, что позволяет производить более тонкие изделия без разрушения.

Сапфировые пластины и подложки универсальны, их применение включает, помимо прочего, выращивание тонких пленок соединений III-V и II-VI для полупроводниковых светоизлучающих диодов (светодиодов), тонких пленок высокотемпературных сверхпроводящих (HTSC) серий Y и La. , микроэлектронные ИС (интегральная схема кремния на сапфире, SOS), гибридные микроэлектронные приложения и выращивание тонких ферромагнитных / сегнетоэлектрических пленок.

Сапфировые подложки и пластины с А-плоскостью являются подходящей альтернативой для приложений гибридной микроэлектроники, которые в основном включают HIC и MCM, благодаря их однородным диэлектрическим проницаемостям и высокой электрической изоляции. TlBaCaCuO (TbBaCaCuO), Tl-2212, гетероэпитаксиальная сверхпроводящая тонкая пленка, может успешно расти на композитной подложке из сапфирового оксида церия (CeO2) с a-плоскостью для получения отделки поверхности на уровне ангстрема.

В то время как сапфировые подложки и пластины с R-плоскостью находят широкое применение при гетероэпитаксиальном осаждении кремния для микроэлектронных ИС (высокоскоростное нанесение кремния на сапфир, SOS).

Сапфировые подложки и пластины C-плоскости также являются основными вариантами для выращивания методом химического осаждения из паровой фазы металлов (MOCVD) ряда тонких пленок соединений III-V и II-VI, помимо GaN, таких как AlN, AlGaN и InGaN, для производят современные синие, фиолетовые и белые светодиоды (LED), а также синие лазерные диоды (LD). Еще одним преимуществом сапфира с-плоскости является рост тонких сегнетоэлектрических пленок. Тонкие сегнетоэлектрические пленки (Pb,La)(Zr,Ti)O3 (PLZT), выращенные с помощью ВЧ-планарного магнетронного распыления на сапфире C-плоскости, также являются одним из заслуживающих внимания кандидатов для производства новой функциональной электроники. При напылении тонких сегнетоэлектрических пленок Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) сапфировые подложки демонстрируют меньшую степень разориентации между кристаллитами по сравнению с подложкой Si и идеальное напряжение пробоя.

Сапфировые подложки и пластины M-плоскости могут быть пригодны для выращивания тонких ферромагнитных пленок Mn1-xS (например, выращивание MgxZn1-xO с помощью LP-MOCVD при солнечно-слепом ультрафиолетовом детектировании), импульсного лазерного осаждения Cr2O3 и других кобальтов, Mn5Ge3Cx и т. д. . слишком.

Hangzhou Shalom EO предлагает готовые и индивидуальные сапфировые подложки и пластины для эпитаксиального роста тонких пленок. Шалом ЭО обладает выдающимися возможностями и стремится производить высокоточные сапфировые пластины. Для изготовления пластин и подложек мы выбираем монокристаллический сапфир высочайшей чистоты. Для производства нашей продукции в чистой комнате класса 1000 используется ряд современного оборудования. Перед отправкой мы проводим рентгеноструктурный анализ и используем атомно-силовой микроскоп (АСМ) (см. отчеты в разделе технических изображений) для проверки продукта, чтобы гарантировать оптимальное качество поверхности продукта. Стандартные версии имеют ориентацию в плоскости C, хотя также доступны другие ориентации, включая плоскость a, плоскость r и плоскость m. Максимальный диаметр составляет 6 дюймов, а подложки могут иметь одностороннюю или двустороннюю полировку. Помимо стандартных круглых форм, доступны также другие формы, такие как квадратная и прямоугольная.

Общие характеристики:

Основные свойства:

Кривые:

1) Типичная кривая рентгеновской дифракции (XRD) подложек кристаллов сапфира (Al2O3)

2) Типичная шероховатость поверхности сапфировой подложки (Al2O3) <0001>, измеренная с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ) в масштабе 5 мкм x 5 мкм.